Descripción
BD136
transistor bipolar tipo BJT en juntura PNP para aplicaciones de conmutación y lineales de media potencia integrado en un encapsulado tipo TO-126.
Características:
- Potencia de disipación total 12.5W.
- Voltaje máximo Colector-Emisor 45VDC.
- Encapsulado TO-126.
- Máxima temperatura de operación 150°C.
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